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SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
Numéro d'article
SI1022R-T1-GE3
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur
SC-75A
Dissipation de puissance (maximum)
250mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
330mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.25 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Mots-clés de SI1022R-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3 Composants électroniques
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