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IRL640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Numéro d'article

IRL640STRRPBF

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

17A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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