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IRFU1N60APBF

IRFU1N60APBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
Numéro d'article
IRFU1N60APBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-251AA
Dissipation de puissance (maximum)
36W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
229pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF Composants électroniques
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