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IRF820L

IRF820L

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
Numéro d'article
IRF820L
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
I2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF820L
IRF820L Composants électroniques
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