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VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A
Numéro d'article
VS-FC80NA20
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Colis/Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur
SOT-227
Dissipation de puissance (maximum)
405W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
108A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
161nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10720pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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