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TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Numéro d'article
TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricant/Marque
Série
U-MOSIII
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareil du fournisseur
VS-8 (2.9x1.5)
Dissipation de puissance (maximum)
330mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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