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TPCC8009,LQ(O

TPCC8009,LQ(O

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Numéro d'article
TPCC8009,LQ(O
Série
U-MOSIV
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
24A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1270pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de TPCC8009,LQ(O
TPCC8009,LQ(O Composants électroniques
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