Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W,RQ MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK - YYIC

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TK14G65W,RQ

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TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

Numéro d'article

TK14G65W,RQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

130W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

-

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 690µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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