Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U(F) MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN - YYIC

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TK12J60U(F)

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TK12J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Numéro d'article

TK12J60U(F)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P(N)

Dissipation de puissance (maximum)

144W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

-

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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