Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12E60W,S1VX
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TK12E60W,S1VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Numéro d'article
TK12E60W,S1VX
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
DTMOSIV
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
110W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Mots-clés de TK12E60W,S1VX
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