Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E MOSFET N-CH 800V TO-3PN - YYIC

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TK10J80E,S1E

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TK10J80E,S1E

MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Numéro d'article

TK10J80E,S1E

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVIII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P(N)

Dissipation de puissance (maximum)

250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

-

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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