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SSM3J358R,LF

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

Numéro d'article

SSM3J358R,LF

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-3 Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23F

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22.1 mOhm @ 6A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38.5nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1331pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Vgs (Max)

±10V

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