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2SK3309(Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Numéro d'article

2SK3309(Q)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3, Short Tab

Package d'appareil du fournisseur

TO-220FL

Dissipation de puissance (maximum)

65W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

450V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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