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2SJ438,Q(M

MOSFET P-CH

Numéro d'article

2SJ438,Q(M

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Technologie

Température de fonctionnement

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220NIS

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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