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CSD88539NDT

CSD88539NDT

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Numéro d'article
CSD88539NDT
Fabricant/Marque
Série
NexFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
2.1W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
741pF @ 30V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD88539NDT
CSD88539NDT Composants électroniques
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