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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Numéro d'article
CSD87312Q3E
Fabricant/Marque
Série
NexFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Puissance - Max
2.5W
Package d'appareil du fournisseur
8-VSON (3.3x3.3)
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
27A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 15V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD87312Q3E
CSD87312Q3E Composants électroniques
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