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CSD86336Q3D

CSD86336Q3D

25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Numéro d'article
CSD86336Q3D
Fabricant/Marque
Série
NexFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 125°C
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Puissance - Max
6W
Package d'appareil du fournisseur
8-VSON (3.3x3.3)
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD86336Q3D
CSD86336Q3D Composants électroniques
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