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CSD22206W

CSD22206W

8V P-CHANNEL FEMTOFET
Numéro d'article
CSD22206W
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
9-UFBGA, DSBGA
Package d'appareil du fournisseur
9-DSBGA (1.5x1.5)
Dissipation de puissance (maximum)
1.7W (Ta)
Type FET
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2275pF @ 4V
Vgs (Max)
-6V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD22206W
CSD22206W Composants électroniques
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