Acheter Texas Instruments CSD19531Q5AT MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

CSD19531Q5AT

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

Numéro d'article

CSD19531Q5AT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSONP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3870pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 39468 PCS

Coordonnées