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CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Numéro d'article

CSD19506KTT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Package d'appareil du fournisseur

DDPAK/TO-263-3

Dissipation de puissance (maximum)

375W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

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