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CSD17577Q3A

CSD17577Q3A

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Numéro d'article
CSD17577Q3A
Fabricant/Marque
Série
NexFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-VSONP (3x3.15)
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta), 53W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
35A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD17577Q3A
CSD17577Q3A Composants électroniques
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