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CSD17382F4

MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA

Numéro d'article

CSD17382F4

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

FemtoFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-XFDFN

Package d'appareil du fournisseur

3-PICOSTAR

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

347pF @ 15V

Vgs (Max)

10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

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