Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N60CP ROG MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252

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TSM6N60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252

Numéro d'article

TSM6N60CP ROG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.25 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1248pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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