Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH C5G MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

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TSM60NB1R4CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

Numéro d'article

TSM60NB1R4CH C5G

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-251 (IPAK)

Dissipation de puissance (maximum)

28.4W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

257.3pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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