Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG MOSFET N-CH 600V 18A TO263

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TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Numéro d'article

TSM60NB190CM2 RNG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

TO-263 (D²Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

150.6W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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