Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CP ROG MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

Numéro d'article

TSM60N900CP ROG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

50W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 46053 PCS

Coordonnées