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TSM4ND60CI
600V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Numéro d'article
TSM4ND60CI
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package d'appareil du fournisseur
ITO-220
Dissipation de puissance (maximum)
41.6W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
582pF @ 50V
Vgs (Max)
±30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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