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TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Numéro d'article
TSM4N60ECH C5G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Dissipation de puissance (maximum)
86.2W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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