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TSM35N10CP ROG

TSM35N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252
Numéro d'article
TSM35N10CP ROG
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
83.3W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
32A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1598pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de TSM35N10CP ROG
TSM35N10CP ROG Composants électroniques
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