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TSM1N45DCS RLG

TSM1N45DCS RLG

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Numéro d'article
TSM1N45DCS RLG
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SOP
Dissipation de puissance (maximum)
900mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
450V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
500mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.9V @ 250mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±50V
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Mots-clés de TSM1N45DCS RLG
TSM1N45DCS RLG Composants électroniques
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