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TSM1N45CW RPG

TSM1N45CW RPG

MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
Numéro d'article
TSM1N45CW RPG
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
450V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
500mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de TSM1N45CW RPG
TSM1N45CW RPG Composants électroniques
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