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TSM1N45CT B0G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

Numéro d'article

TSM1N45CT B0G

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

450V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

500mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.25 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.25V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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