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TSM160P02CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

Numéro d'article

TSM160P02CS RLG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SOP

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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