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TSM120N06LCP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252

Numéro d'article

TSM120N06LCP ROG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

70A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2118pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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