Acheter Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

TSM110NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Numéro d'article

TSM110NB04LCR RLG

Fabricant/Marque

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerLDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PDFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 68W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta), 54A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1269pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 37263 PCS

Coordonnées