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STL3NM60N

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

Numéro d'article

STL3NM60N

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ II

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta), 22W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

650mA (Ta), 2.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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