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STH3N150-2

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2

Numéro d'article

STH3N150-2

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

PowerMESH™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

Package d'appareil du fournisseur

H²PAK

Dissipation de puissance (maximum)

140W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

939pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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