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STD3NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK

Numéro d'article

STD3NK100Z

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

SuperMESH™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

90W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1000V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

601pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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