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STB35N65DM2

NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28

Numéro d'article

STB35N65DM2

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ M2

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

210W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

28A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

Vgs (Max)

±25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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