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RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Numéro d'article

RQ3E120BNTB

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-HSMT (3.2x3)

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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