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HAT2169H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

Numéro d'article

HAT2169H-EL-E

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-100, SOT-669

Package d'appareil du fournisseur

LFPAK

Dissipation de puissance (maximum)

30W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6650pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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