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NVTFS5C658NLTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Numéro d'article
NVTFS5C658NLTAG
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerWDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-WDFN (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
114W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
109A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1935pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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NVTFS5C658NLTAG Composants électroniques
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