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NVMFD5C650NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Numéro d'article
NVMFD5C650NLWFT1G
Série
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Puissance - Max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2546pF @ 25V
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Mots-clés de NVMFD5C650NLWFT1G
NVMFD5C650NLWFT1G Composants électroniques
NVMFD5C650NLWFT1G Ventes
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