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NVMFD5873NLT1G
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NVMFD5873NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Numéro d'article
NVMFD5873NLT1G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Puissance - Max
3.1W
Package d'appareil du fournisseur
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
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