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NVD4815NT4G

MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4

Numéro d'article

NVD4815NT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

1.26W (Ta), 32.6W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.9A (Ta), 35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Vgs (Max)

±20V

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