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NTMS5835NLR2G

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Numéro d'article

NTMS5835NLR2G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SOIC

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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