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NTMFS5830NLT1G

MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL

Numéro d'article

NTMFS5830NLT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN, 5 Leads

Package d'appareil du fournisseur

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

28A (Ta), 172A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5880pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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