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NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Numéro d'article

NTMFD4C86NT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Puissance - Max

1.1W

Package d'appareil du fournisseur

8-DFN (5x6)

Type FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11.3A, 18.1A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1153pF @ 15V

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