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NSBA123JDXV6T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Numéro d'article

NSBA123JDXV6T1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Puissance - Max

500mW

Package d'appareil du fournisseur

SOT-563

Type de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)

50V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Courant - Coupure du collecteur (Max)

500nA

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Fréquence - Transition

Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms

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