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MGSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
Numéro d'article
MGSF2N02ELT1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (maximum)
1.25W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.8A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 5V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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